燒結(jié)是使陶瓷坯體致密化,并使之成為具有某種顯微結(jié)構(gòu)的一個關(guān)鍵步驟。當(dāng)然燒結(jié)以前的各工序?qū)ψ詈蟮慕Y(jié)構(gòu)同樣有著重要的影響,但是為了獲得更為滿意的顯微結(jié)構(gòu),以便提高某種性能,了解燒結(jié)致密化問題是有益的。
以燒結(jié)對顯微結(jié)構(gòu)的影響來說,主要因素有:(1)粉末顆粒尺寸和活性;(2)添加劑;(3)溫度;(4)保溫時(shí)間;(5)壓力;(6)氣氛。
為了得到需要的顯微結(jié)構(gòu)和性能的材料,人們力圖調(diào)整和控制這些參數(shù),若控制得當(dāng),可以得到接近完全致密的材料。正如前面已經(jīng)指出的,氣孔作為陶瓷顯微結(jié)構(gòu)的重要組成部分,如完全排除它,對材料的許多性能是大有好處的。完全排除氣孔,意味著某些過程得到了加速。氣孔得到更快地充填,燒結(jié)得以加速進(jìn)行。另一方面,氣孔幾乎被完全排除,表明在燒結(jié)時(shí),氣孔沒有被包進(jìn)晶粒內(nèi)部,這就意味著Vb -直沒有明顯地超過Vp,大多數(shù)氣孔始終處于晶界上,從而可以得到有效地排除。
為了使一些陶瓷材料燒結(jié)到高度致密化,總需要選用一種或幾種添加劑來促進(jìn)燒結(jié)和致密化。但是要了解清楚添加劑對不同泵統(tǒng)的燒結(jié)機(jī)理,了解氣孔為什么會被更好地排除,往往需要進(jìn)行大量的工作,才能逐步搞清楚。對添加劑的選擇多少帶有一定的經(jīng)驗(yàn)性,其主要原因:(1)可以同時(shí)存在的致密化機(jī)理太多,不容易知道哪種在起主導(dǎo)作用。就以簡單的A12 03而論,在致密化過程中,兩種離子都需要遷移,每種離子至少有兩種途徑,所以有四種可能的遷移途徑,每種都可能起控制作用。如選用添加劑來促進(jìn)燒結(jié),只有能夠促進(jìn)那個控制過程的添加劑,才能有效。如圖1-3-19。(2)在改變時(shí),控制機(jī)理也可能發(fā)生改變。(3)添加劑雖然是促進(jìn)燒結(jié)致密化的一種有效辦法.但 添加劑的作用并不容易確定,因?yàn)樘砑觿Y(jié)所起的作用,有以下幾個方面:
1)改變點(diǎn)缺陷濃度,從而改變某種離子的擴(kuò)散系數(shù);
2)在晶界附近富集,影響晶界的遷移速率,從而減少晶粒長大的干擾作用;
3)提高表面能與界面能的比值,直接提高致密化的動力;
4)在晶界形成連續(xù)第二相,為原子擴(kuò)散提供快速途徑;
5)第二相在晶界的釘扎作用,阻礙晶界遷移。
蓋戈要搞清楚一種添加劑所起的作用,常常要做大量反復(fù)的工作,現(xiàn)代測試方法對此是必7i夕約。 --51年R.L.Coble采用添加Mg0的辦法,把A12 03陶瓷燒結(jié)到接近理論密度,即很少寫三孔被包裹到晶粒內(nèi)去,絕大部分被排除掉,去掉了對可見光的大量散射中心,使A12 03陶曼至為半透明狀態(tài)。人們開始研究Mg0為什么能促進(jìn)A120。的致密化、幫助排除氣孔,對其:王硯理,有許多學(xué)者從不同角度采用不同方法進(jìn)行大量研究,對這個問題得到比較滿意的回;:Coble在1961年首先認(rèn)為是Mg0溶解于A1:Oj中,提高了控制擴(kuò)散過程的離子缺陷濃主.’I、而促進(jìn)燒結(jié)致密化。此后R_ Jorgensen等人從為、Ig0固溶在Al-O÷中,并在晶界富姜.抵制晶粒長大。1973年A.Mocellin等人又提出、Ig0對晶垃長大的抑制作用,來源于二奢質(zhì)在晶界的釘扎效應(yīng)。W.C.Johnson等,‘、添加了大量、Ig0.也認(rèn)為第二相的釘孑L效應(yīng)三礙了晶粒長大。直至J.G.J.Peele才比較好地把這個問題說清楚,他的結(jié)果表明:不論添加量或較多量Mg0,都可促進(jìn)Al:O。的致密化,但機(jī)理不一樣。在固溶極限以下(1630℃約了;。0 ppm)主要是由于提高了點(diǎn)缺陷濃度,加速A13+的晶格擴(kuò)散。而當(dāng)Mg0的添加量增.超過固溶極限以上,則第二相在晶界的釘扎就發(fā)生了作用。這說明過去的兩種解釋都是正甍的。只是條件不同,機(jī)理也相應(yīng)發(fā)生變化。M.Harmer等用高溫快速燒成方法,對比了純Al20。與添加200 ppm Mg0或200 ppm_ i02的燒結(jié)性能,發(fā)現(xiàn)后二者都可促進(jìn)A12 03的燒結(jié),經(jīng)1850℃保溫5 min,添加Mg0的樣晶已接近理論密度。同時(shí)兩者都有正常的晶粒長大,尺寸均勻,氣孔保持在晶界。而純A120。劉有一些不正常晶粒長大,氣孔被包人品粒內(nèi)。
作者認(rèn)為Mg0或Ti02固溶于A1。O。中同時(shí)促進(jìn)烷結(jié)和晶粒長大,說明兩者是有關(guān)聯(lián)的。由于致密化速率加快,使在相同晶粒尺寸的情況下,氣孔尺寸更小一些。這樣氣孑L對晶界遷移的抑制作用比正常情況要小,所以晶粒長大速度反而比純Al:O。為快。這一事實(shí)也表明固溶雜質(zhì)對晶界移動的牽制作用并不是很大的。晶界運(yùn)動受氣孔控制。
Mg0與Ti02的作用都是由于提高A13+離子的缺陷濃度所致:對TiO:來講,比較簡單,Ti4+離子的加入,提高了A13+離子的缺陷濃度,因而加快了A13+離子的晶格擴(kuò)散。對Mg0來講,情況要復(fù)雜一些,可能由于Mg2+占據(jù)了A13+的位置,促進(jìn)了間隙AI3+離子增加。因此添加Mg0的作用,可能由于間隙機(jī)理,促進(jìn)了A13+離子的擴(kuò)散。
可見,添加劑對促進(jìn)燒結(jié)機(jī)理是復(fù)雜的,對顯微結(jié)構(gòu)的影響也很大。
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本文“添加劑促進(jìn)陶瓷致密化的機(jī)理”由科眾陶瓷編輯整理,修訂時(shí)間:2014-12-18 10:44:38
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